Vor kurzem haben Samsung und Qualcomm gemeinsam offiziell Informationen über den Chip der nächsten Generation namens Snapdragon 835 bekannt gegeben. Es wird erwartet, dass Snapdragon 835 Anfang 2017 auf den Markt kommt.
Hergestellt aus 10nm FinFET .Prozess
Mit der Herstellung im 10-nm-Prozess hat Snapdragon 835 ein kompakteres Design, höhere Leistung und mehr Energieeinsparung. Qualcomm sagt, dass die 835-Version im Vergleich zum Snapdragon 820 30 % kleiner, 27 % effizienter und 40 % energieeffizienter ist.
Ausgestattet mit Quick Charge 4.0 Schnellladetechnologie
Die Schnellladetechnologie Qualcomm Charge 4.0 bietet eine deutlich verkürzte Ladezeit, eine hohe Kompatibilität mit verschiedenen Geräten sowie mehr Sicherheitsfunktionen. Laut Qualcomm können Sie das Telefon mit nur 5 Minuten Ladezeit 5 Stunden lang verwenden. Quick Charge 4.0 unterstützt auch den USB-C-Standard und ist in der Lage, Spannung, Strom und Temperatur genau zu messen, um Geräte und Ladegeräte vor Beschädigungen zu schützen. Es wurde auch entwickelt, um Geräte vor Überstrom zu schützen, der durch elektrische Fehler verursacht wird.
Qualcomm Snapdragon 835 wird 8 Krypo 200-Kerne haben
Laut dem sozialen Netzwerk Weibo aus China wird Snapdragon 835 8 Kryo-Kerne, 4 Kerne mit 3 Ghz und 4 Kerne mit 2,4 Ghz verwenden.
Grafikchip (GPU) auf Snapdragon 835 wird Adreno 540 . sein
Mit diesem Grafikchip wird die Leistung, die er bringt, Gamern ein großartiges Erlebnis auf ihrem Smartphone bieten.
Unterstützung für UFS 2.1.-Technologie
UFS 2.1 ist die nächste Generation von Universal Flash Storage. Diese Version weist viele Verbesserungen gegenüber der vorherigen Version auf und soll Datensicherheit durch die Verwendung von Inline-Verschlüsselung zwischen dem SoC und dem UFS-Speichergerät bieten.
Unterstützt LTE Cat 16. Hochgeschwindigkeits-Netzwerktechnologie
Mit den aktuellen Spezifikationen verspricht Snapdragon 835 eine beeindruckende Leistung und die Erwartungen der Benutzer wert
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